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2024-07 08
苏州大学张晓宏课题组Advanced Materials:柔性透明单晶硅框架材料
【研究背景】硅材料是最重要的半导体材料之一,具有出色的光学、电学特性。在过去数十年里,单晶硅材料的发展促进了半导体产业的繁荣和现代社会的发展。例如,硅晶片的大规模生产促进了太阳能电池的发展,现已成为清洁能源领域的最主要产品。通过微加工技术进行图案化的单晶硅是集成电路(IC)和微机电系统(MEMS)的基础,这些技术已将世...
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2024-07 03
Nature:首创高迁移率稳定非晶P型半导体器件
一、 【科学背景】与多晶半导体相比,非晶态半导体具有更低的成本、制造简单、均匀性好等优势。然而,传统的非晶氢化硅在电性能上存在不足,需要寻找新材料。近年来,高迁移率的非晶态n型金属氧化物如a-InGaZnO被成功应用于薄膜晶体管(TFTs),推动了大面积电子设备和新一代显示器的发展。但是,找到相应的p型材料仍然是个挑战...
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2024-07 02
香港科技大学于涵、颜河《EES》:烷氧基取代聚合物受体有效降低全聚合物太阳能电池能量损失,实现高效室外/室内光伏多功能应用
相比于无机半导体,有机半导体材料最大的优势就在于可以通过合理的化学修饰来调节分子内的电荷转移(intramolecular charge transfer, ICT)效应,从而调节分子的本征光谱吸收以及堆积性质。鉴于目前最为主流的Y-系列小分子受体,我们在之前的工作中已经成功开发出β-噻吩烷氧基取代策略,削弱ICT效应...
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2024-06 28
最新Nature: 华中科技大学陈炜、刘宗豪和韩国成均馆大学Nam-Gyu Park钙钛矿太阳能电池的最新进展
一、【科学背景】具有倒置(p-i-n)结构的钙钛矿太阳能电池(PSC)由于其高效的光电转换效率(PCEs)、良好的稳定性以及兼容性,倒置型PSCs被认为是主流技术路线之一。目前,倒置型PSCs的PCEs超过25%,这归功于孔选择性层(HSLs)和钝化策略的发展。然而,常用的SAMs,如Me-4PACz,存在分布不均匀和...
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2024-06 25
南京大学余林蔚教授课题组突破EUV技术限制、实现面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超细晶硅纳米线可靠生长集成
【导读】后摩尔时代集成电路的发展,尤其是10 nm工艺节点之后,越来越依赖深紫外(DUV)和极深紫外(EUV)光刻技术定义沟道特征尺寸(CD)。特别是作为围栅结构晶体管(GAA FET)的关键—CD <10 nm的三维堆叠纳米线晶硅沟道目前只能通过最先进的“自上而下”光刻刻蚀工艺实现。随着沟道特征尺寸的下降,其工...
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2024-06 24
江苏科技大学Nature:超薄晶硅太阳能电池!
一、【科学背景】自1941年首次报道以来,硅光电池取得了长足的发展。目前太阳能电池主要分为晶硅电池和薄膜电池,其中晶硅太阳能电池是目前光伏产业的支柱产业。晶硅太阳能电池以硅为主要材料,是目前最为成熟、应用最广的光伏发电技术,全球晶硅电池市占率达90%以上。传统的晶硅电池面临两大瓶颈问题:一是产业化的大面积晶硅电池其功率...